Россия и Китай займутся совместным изучением Арктики
22.08.16 Россия впервые собирается превзойти все страны ЕС по экспорту пшеницы
Вот уже который год Россия лидирует среди всех европейских стран по количеству экспортируемой16.08.16 В российском интернате от кишечной инфекции скончались четверо детей
В августе 2016 года произошла страшная трагедия в Черемховском психоневрологическом интернате.01.08.16 Ушел из жизни Фазиль Искандер
В Подмосковье, во время отдыха на своей даче, внезапно потерял сознание и умер писатель и поэт,IBM установила атомарные пределы плотности памяти
Учёные из научно-исследовательского подразделения IBM Research корпорации IBM успешно продемонстрировали возможность хранения информации в ячейке памяти, состоящей всего лишь из 12-ти магнитных атомов. Для сравнения: современный жесткий диск использует около миллиона атомов для хранения одного бита информации. Способность манипулировать свойствами вещества на основе его элементарных базовых элементов может привести к жизненно необходимому пониманию того, как создавать более компактные, быстрые и энергетически эффективные устройства.
Применив новый подход и начав с наименьшего структурного элемента памяти - атома - ученые продемонстрировали магнитный накопитель, который обеспечивает, по меньшей мере, в 100 раз более высокую плотность записи, чем современные жесткие диски и чипы твердотельной памяти. В будущем наноструктуры, сформированные добавлением одного атома за один раз и применяющие нетрадиционную форму магнетизма, получившую название антиферромагнетизма, смогут дать пользователям и компаниям возможность сохранять в 100 раз больше информации в том же объеме памяти.
Ученые из IBM Research применили сканирующий туннельный микроскоп для формирования группы из 12-ти «антиферромагнитно» связанных атомов, сохранявших бит данных в течение нескольких часов при низкой температуре. Используя присущее этим атомам свойство изменения направлений магнитного спина, ученые продемонстрировали способность «компоновать» соседние магнитные биты гораздо ближе друг к другу, чем это было возможно ранее. Это позволило значительно увеличить плотность записи/хранения магнитной памяти без нарушения состояния соседних битов.
Tweet